Оптоизоляторы в корпусах SO6L имеют размеры всего 10 × 3.8 × 2.1 мм
Toshiba Electronics Europe представила две новые низкопрофильные микросхемы оптоизоляторов для непосредственного управления затворами мощных MOSFET или IGBT средней мощности. TLP5701 и TLP5702 поставляются в сверхминиатюрных корпусах SO6L размером всего 10 × 3.8 × 2.1 мм.
Несмотря на столь небольшие размеры, новые устройства имеют напряжение изоляции 5000 В с.к.з. и гарантированные пути утечки по корпусу и между выводами, равные 8 мм. Таким образом, приборы могут способствовать сокращению размеров устройств, нуждающихся в сертификации на соответствие требованиям стандартов безопасности. Кроме того, все параметры и характеристики оптоизоляторов гарантируются в диапазоне температур от –40 °C до 110 °C.
Новые оптоизоляторы могут найти применение в устройствах широчайшей номенклатуры, от бытовой техники и инверторов до средств автоматизации производства и измерительного оборудования. TLP5701, способные отдавать пиковый выходной ток до ±0.6 А, оптимизированы для управления маломощными IGBT и мощными MOSFET. TLP5702 с максимальным выходным током ±2.5 А идеально подойдут для устройств средней мощности.
Высокий уровень характеристик новых приборов обеспечиваются использованием самых последних разработок GaAlAs инфракрасных светодиодов и интегрированных быстродействующих фотодетекторов с большим коэффициентом усиления. Внутренний экран Фарадея гарантирует устойчивость к синфазным помехам со скоростью нарастания до ±20 кВ/мкс. Максимальное время задержки распространения равно 500 нс для TLP5701 и 200 нс для TLP5702.
По сравнению с аналогичными приборами, выпускаемыми в корпусах DIP8, оптроны в SO6L на 43% меньше по занимаемой площади печатной платы и на 54% меньше по высоте.
Оптоизоляторы в корпусах SO6L имеют размеры всего 10 × 3.8 × 2.1 мм
Toshiba Electronics Europe представила две новые низкопрофильные микросхемы оптоизоляторов для непосредственного управления затворами мощных MOSFET или IGBT средней мощности. TLP5701 и TLP5702 поставляются в сверхминиатюрных корпусах SO6L размером всего 10 × 3.8 × 2.1 мм.
Несмотря на столь небольшие размеры, новые устройства имеют напряжение изоляции 5000 В с.к.з. и гарантированные пути утечки по корпусу и между выводами, равные 8 мм. Таким образом, приборы могут способствовать сокращению размеров устройств, нуждающихся в сертификации на соответствие требованиям стандартов безопасности. Кроме того, все параметры и характеристики оптоизоляторов гарантируются в диапазоне температур от –40 °C до 110 °C.
Новые оптоизоляторы могут найти применение в устройствах широчайшей номенклатуры, от бытовой техники и инверторов до средств автоматизации производства и измерительного оборудования. TLP5701, способные отдавать пиковый выходной ток до ±0.6 А, оптимизированы для управления маломощными IGBT и мощными MOSFET. TLP5702 с максимальным выходным током ±2.5 А идеально подойдут для устройств средней мощности.
Высокий уровень характеристик новых приборов обеспечиваются использованием самых последних разработок GaAlAs инфракрасных светодиодов и интегрированных быстродействующих фотодетекторов с большим коэффициентом усиления. Внутренний экран Фарадея гарантирует устойчивость к синфазным помехам со скоростью нарастания до ±20 кВ/мкс. Максимальное время задержки распространения равно 500 нс для TLP5701 и 200 нс для TLP5702.
По сравнению с аналогичными приборами, выпускаемыми в корпусах DIP8, оптроны в SO6L на 43% меньше по занимаемой площади печатной платы и на 54% меньше по высоте.