Быстродействующие МОП-транзисторы с максимальным током стока до 260 А теперь выпускаются в корпусе DSOP Advance
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет ассортимент высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет устройство с каналом n-типа в SMD-корпусе DSOP Advance с двусторонним охлаждением.
Устройство TPW1R306PL на 60 В обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии: всего 1.0 мОм при VGS = 10 В. Максимальный ток стока и рассеиваемая мощность составляют 260 А и 170 Вт соответственно. Улучшенное рассеяние тепла за счет двустороннего охлаждения поможет сократить количество устройств и сэкономить пространство в системах с высокой плотностью компонентов. Номинальное тепловое сопротивление Rth (ch-c) к верхней стороне корпуса, равное 0.88 К/Вт, значительно ниже по сравнению с корпусами конкурентов.
Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной емкости / выходного заряда, типовое значение QOSS составляет всего 77.5 нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.
Целевые области применения этих новейших МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока, цепи вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный и приводы электродвигателей в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах.
Быстродействующие МОП-транзисторы с максимальным током стока до 260 А теперь выпускаются в корпусе DSOP Advance
Компания Toshiba Electronics Europe расширяет ассортимент высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H и представляет устройство с каналом n-типа в SMD-корпусе DSOP Advance с двусторонним охлаждением.
Устройство TPW1R306PL на 60 В обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии: всего 1.0 мОм при VGS = 10 В. Максимальный ток стока и рассеиваемая мощность составляют 260 А и 170 Вт соответственно. Улучшенное рассеяние тепла за счет двустороннего охлаждения поможет сократить количество устройств и сэкономить пространство в системах с высокой плотностью компонентов. Номинальное тепловое сопротивление Rth (ch-c) к верхней стороне корпуса, равное 0.88 К/Вт, значительно ниже по сравнению с корпусами конкурентов.
Поскольку технологический процесс U-MOS IX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание RDS(ON) и выходной емкости / выходного заряда, типовое значение QOSS составляет всего 77.5 нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.
Целевые области применения этих новейших МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока, цепи вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный и приводы электродвигателей в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах.