Сопротивление открытого канала снижено благодаря использованию нового миниатюрного низкоомного корпуса
Toshiba Electronics Europe расширила свою серию 40-вольтовых N-канальных автомобильных MOSFET, выпустив два новых прибора в низкоомном корпусе SOP Advance (WF) с размерами 5 мм × 6 мм. Транзисторы TPHR7904PB и TPH1R104PB, сертифицированные на соответствие требованиям стандарта AEC-Q101, найдут применение в различных автомобильных приложениях, включая электроусилители руля, коммутаторы нагрузки, электронасосы, вентиляторы и многое другое.
Новые MOSFET с щелевой изоляцией, изготавливаемые с использованием технологического процесса девятого поколения U-MOS IX-H, при управляющем напряжении затвора 10 В имеют максимальное сопротивление открытого канала всего 0.79 мОм, позволяя заметно снизить потери проводимости. Устройства с максимальным допустимым напряжением сток-исток, равным 40 В, могут пропускать постоянный ток до 150 А. Технология U-MOS IX-H также уменьшает шумы переключения, помогая снизить уровень излучаемых электромагнитных помех.
Сопротивление открытого канала снижено благодаря использованию нового миниатюрного низкоомного корпуса
Toshiba Electronics Europe расширила свою серию 40-вольтовых N-канальных автомобильных MOSFET, выпустив два новых прибора в низкоомном корпусе SOP Advance (WF) с размерами 5 мм × 6 мм. Транзисторы TPHR7904PB и TPH1R104PB, сертифицированные на соответствие требованиям стандарта AEC-Q101, найдут применение в различных автомобильных приложениях, включая электроусилители руля, коммутаторы нагрузки, электронасосы, вентиляторы и многое другое.
Новые MOSFET с щелевой изоляцией, изготавливаемые с использованием технологического процесса девятого поколения U-MOS IX-H, при управляющем напряжении затвора 10 В имеют максимальное сопротивление открытого канала всего 0.79 мОм, позволяя заметно снизить потери проводимости. Устройства с максимальным допустимым напряжением сток-исток, равным 40 В, могут пропускать постоянный ток до 150 А. Технология U-MOS IX-H также уменьшает шумы переключения, помогая снизить уровень излучаемых электромагнитных помех.