Сверхтонкое устройство с гарантированным напряжением изоляции 5 кВ и путями утечки по корпусу и между выводами 8 мм
Toshiba Electronics Europe сообщила о выпуске нового оптически изолированного драйвера затворов в низкопрофильном корпусе SO8L. Оптоизолятор TLP5832, рассчитанный на пиковый ток 2.5 А, может непосредственно управлять IGBT и MOSFET среднего класса в таких приложениях, как промышленные инверторы, кондиционеры воздуха и солнечные источники энергии, а также в сервоусилителях.
Благодаря впервые использованному корпусу SO8L, высота нового оптрона составляет всего 2.3 мм, что примерно на 54% ниже, чем у аналогичных приборов, впускавшихся Toshiba ранее в корпусах SDIP6 и DIP8. SO8L отвечает требованиям современных приложений, часто ограниченных высотой и площадью монтажного пространства.
Несмотря на миниатюрные размеры, микросхема обеспечивает напряжение изоляции 5000 В с.к.з. и гарантированные пути утечки по корпусу и между выводами не менее 8 мм, что позволяет использовать ее в приложениях с высоким требованиями к характеристикам изоляции, включая цепи, определяющие безопасность системы.
Кроме того, для TLP5832 гарантируются время задержки распространения 200 нс и перекос задержек ±80 нс в полном диапазоне рабочих температур от –40 °C дo 110 °C. Совокупность характеристик новых оптронов дает возможность создавать схемы высокоэффективных инверторов с характеристиками, менее критичными к изменениям температуры.
Сверхтонкое устройство с гарантированным напряжением изоляции 5 кВ и путями утечки по корпусу и между выводами 8 мм
Toshiba Electronics Europe сообщила о выпуске нового оптически изолированного драйвера затворов в низкопрофильном корпусе SO8L. Оптоизолятор TLP5832, рассчитанный на пиковый ток 2.5 А, может непосредственно управлять IGBT и MOSFET среднего класса в таких приложениях, как промышленные инверторы, кондиционеры воздуха и солнечные источники энергии, а также в сервоусилителях.
Благодаря впервые использованному корпусу SO8L, высота нового оптрона составляет всего 2.3 мм, что примерно на 54% ниже, чем у аналогичных приборов, впускавшихся Toshiba ранее в корпусах SDIP6 и DIP8. SO8L отвечает требованиям современных приложений, часто ограниченных высотой и площадью монтажного пространства.
Несмотря на миниатюрные размеры, микросхема обеспечивает напряжение изоляции 5000 В с.к.з. и гарантированные пути утечки по корпусу и между выводами не менее 8 мм, что позволяет использовать ее в приложениях с высоким требованиями к характеристикам изоляции, включая цепи, определяющие безопасность системы.
Кроме того, для TLP5832 гарантируются время задержки распространения 200 нс и перекос задержек ±80 нс в полном диапазоне рабочих температур от –40 °C дo 110 °C. Совокупность характеристик новых оптронов дает возможность создавать схемы высокоэффективных инверторов с характеристиками, менее критичными к изменениям температуры.
Toshiba начала поставки новых приборов.