В России разработали перспективный материал для создания оптоэлектронных устройств ближнего ИК диапазона на кремнии
На основе нового материала возможно, в частности, создание фотодетекторов ближнего инфракрасного диапазона, датчиков газа, устройств передачи информации на дальние расстояния по оптоволоконным линиям связи
«Основной трудностью в практическом применении нитрида индия является высокая концентрация дефектов и примесей в формируемых кристаллах. В связи с этим долгое время считалось, что данный полупроводник обладает шириной запрещенной зоны порядка 1.8-2.1 эВ и только в 2000-х годах В. Ю. Давыдом в ФТИ им. А.Ф. Иоффе было показано, что фундаментальная ширина запрещенной зоны составляет около 0.65 эВ, а предыдущие результаты обусловлены низким кристаллическим качеством образцов. В нашей работе нам удалось приблизиться к фундаментальной ширине запрещенной зоны данного материала, что говорит о его крайне высоком качестве. Полученный результат является рекордным в России», – комментирует научный сотрудник лаборатории эпитаксиальных нанотехнологий Алферовского университета Владислав Гридчин.
Диапазон излучения нитрида индия составляет около 1.5-2 мкм, что делает возможным использование кристаллов нитрида индия для систем метеодатчиков и детектирования различных газов. Более того, переход к квантово-размерным структурам (размер которых обычно составляет единицы нанометров, что в 100 тыс. раз меньше человеческого волоса), таким как квантовые точки, позволит создавать эффективные лазеры для передачи информации по оптоволоконным линиям связи.
Ученые также отмечают, что их решение в отличие от остального мира дешевле более чем в пять раз.
«Наше решение определенно имеет выигрыш с точки зрения коммерциализации. Развиваемая технология выгоднее по причине использования подложек кремния. Так, например, на сегодняшний день, цены на подложки следующие: подложки кремния – от ~5 $/шт.; подложки GaAs, традиционно используемые для создания лазеров в ближнем ИК диапазоне – от ~80 $/шт», – продолжил Владислав Гридчин.
В России разработали перспективный материал для создания оптоэлектронных устройств ближнего ИК диапазона на кремнии
На основе нового материала возможно, в частности, создание фотодетекторов ближнего инфракрасного диапазона, датчиков газа, устройств передачи информации на дальние расстояния по оптоволоконным линиям связи
Диапазон излучения нитрида индия составляет около 1.5-2 мкм, что делает возможным использование кристаллов нитрида индия для систем метеодатчиков и детектирования различных газов. Более того, переход к квантово-размерным структурам (размер которых обычно составляет единицы нанометров, что в 100 тыс. раз меньше человеческого волоса), таким как квантовые точки, позволит создавать эффективные лазеры для передачи информации по оптоволоконным линиям связи.
Ученые также отмечают, что их решение в отличие от остального мира дешевле более чем в пять раз.
ntifotonika.ru