Vishay Intertechnology объявила о выпуске первых транзисторов из нового семейства 500-вольтовых MOSFET, имеющих такие же низкие потери проводимости и переключения, как и выпускаемые компанией 600- и 650-вольтовые приборы серии «Е». Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора новых транзисторов будут иметь большое значение для экономии энергии в мощных высококачественных потребительских устройствах, осветительных приборах и в импульсных источниках питания компьютеров.
Основанные на втором поколении технологии Vishay Super Junction, новые 500-вольтовые MOSFET SiHx25N50E дополняют существующую 500-вольтовую серию «D», изготавливаемую по высококачественной планарной технологии. Сопротивление открытого канала транзисторов нового семейства равно145 мОм, а максимальный ток стока – 25 А. Доступны различные варианты корпусов, включая TO-220 и ТО-247АС, а также оптимизированные для низкопрофильных продуктов тонкие корпуса TO-220 FULLPAK.
Новые приборы отличаются сверхнизким зарядом затвора, равным 57 нКл, и малым временем включения – ключевыми показателями качества MOSFET, используемых в силовых преобразователях. Так же как в 600- и 650-вольтовых транзисторах серии «E», низкое сопротивление открытого канала и оптимизированная скорость переключения 500-вольтовых устройств могут увеличить КПД и плотность мощности в корректорах коэффициента мощности, прямоходовых мостовых конвертерах и обратноходовых преобразователях.
Компоненты соответствуют требованиям директивы RoHS, имеют повышенную устойчивость к высокоэнергетическим импульсам в режимах переключения и лавинного пробоя и проходят стопроцентную проверку на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.
Vishay Intertechnology объявила о выпуске первых транзисторов из нового семейства 500-вольтовых MOSFET, имеющих такие же низкие потери проводимости и переключения, как и выпускаемые компанией 600- и 650-вольтовые приборы серии «Е». Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора новых транзисторов будут иметь большое значение для экономии энергии в мощных высококачественных потребительских устройствах, осветительных приборах и в импульсных источниках питания компьютеров.
Основанные на втором поколении технологии Vishay Super Junction, новые 500-вольтовые MOSFET SiHx25N50E дополняют существующую 500-вольтовую серию «D», изготавливаемую по высококачественной планарной технологии. Сопротивление открытого канала транзисторов нового семейства равно145 мОм, а максимальный ток стока – 25 А. Доступны различные варианты корпусов, включая TO-220 и ТО-247АС, а также оптимизированные для низкопрофильных продуктов тонкие корпуса TO-220 FULLPAK.
Новые приборы отличаются сверхнизким зарядом затвора, равным 57 нКл, и малым временем включения – ключевыми показателями качества MOSFET, используемых в силовых преобразователях. Так же как в 600- и 650-вольтовых транзисторах серии «E», низкое сопротивление открытого канала и оптимизированная скорость переключения 500-вольтовых устройств могут увеличить КПД и плотность мощности в корректорах коэффициента мощности, прямоходовых мостовых конвертерах и обратноходовых преобразователях.
Компоненты соответствуют требованиям директивы RoHS, имеют повышенную устойчивость к высокоэнергетическим импульсам в режимах переключения и лавинного пробоя и проходят стопроцентную проверку на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки.
Технические характеристики транзисторов:
при 25 °C
макс.
при UGS = 10 В
тип.
при UGS = 10 В