Сдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6мм × 5мм
Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на основе MOSFET, в компактном корпусе PowerPAIR которого, имеющем размеры 3.3 мм × 3.3 мм, объединены TrenchFET MOSFET верхнего плеча, SkyFET MOSFET нижнего плеча и диод Шоттки. Силовой каскад SiZF300DT, разработанный подразделением Vishay Siliconix, обеспечивает повышенные значения плотности мощности и КПД для преобразователей энергии в компьютерных и телекоммуникационных приложениях, одновременно уменьшая количество компонентов и упрощая конструкцию.
Внутренние соединения двух MOSFET этого устройства образуют конфигурацию полумоста. Максимальное сопротивление открытого MOSFET Канала 1 равно 4.5 мОм при напряжении затвора 10 В и 7.0 мОм при напряжении 4.5 В. Для MOSFET Канала 2 эти значения, соответственно, равны 1.84 мОм и 2.57 мОм. Типовые значения зарядов затворов для MOSFET составляют 6.9 нКл и 19.4 нКл, соответственно.
Внутренняя схема транзистора SiZF300DT.
Размеры SiZF300DT на 65% меньше, чем у сдвоенных устройств в корпусах 6 мм × 5 мм с аналогичными сопротивлениями каналов, что делает прибор одним из самых компактных интегрированных продуктов на рынке. Устройство предоставляет разработчикам возможность создания компактных решений для преобразователей, локализованных к нагрузке, источников питания и синхронных понижающих DC/DC-преобразователей в графических и ускорительных картах, компьютерах, серверах, телекоммуникационном и радиочастотном сетевом оборудовании.
Сдвоенный MOSFET имеет уникальную конфигурацию и конструкцию выводов, позволяющую получить на 11% больший выходной ток на фазу, чем конкурирующие продукты такого же размера, а также увеличить КПД для выходных токов свыше 20 А. Кроме того, конфигурация выводов устройства и большой контакт PGND улучшают теплопередачу, оптимизируют путь тока и упрощают разводку печатной платы.
Транзисторы SiZF300DT проходят стопроцентную проверку на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.
Единичные образцы и небольшие количества новых сдвоенных MOSFET доступны немедленно. Время выполнения крупных заказов составляет 12 недель.
SiZF300DT
Сдвоенное устройство с интегрированным диодом Шоттки увеличивает плотность мощности и КПД, занимая на плате на 65% меньше места, чем корпуса 6 мм × 5 мм
Vishay Intertechnology представила новый 30-вольтовый полумостовой силовой каскад на основе MOSFET, в компактном корпусе PowerPAIR которого, имеющем размеры 3.3 мм × 3.3 мм, объединены TrenchFET MOSFET верхнего плеча, SkyFET MOSFET нижнего плеча и диод Шоттки. Силовой каскад SiZF300DT, разработанный подразделением Vishay Siliconix, обеспечивает повышенные значения плотности мощности и КПД для преобразователей энергии в компьютерных и телекоммуникационных приложениях, одновременно уменьшая количество компонентов и упрощая конструкцию.
Внутренние соединения двух MOSFET этого устройства образуют конфигурацию полумоста. Максимальное сопротивление открытого MOSFET Канала 1 равно 4.5 мОм при напряжении затвора 10 В и 7.0 мОм при напряжении 4.5 В. Для MOSFET Канала 2 эти значения, соответственно, равны 1.84 мОм и 2.57 мОм. Типовые значения зарядов затворов для MOSFET составляют 6.9 нКл и 19.4 нКл, соответственно.
Размеры SiZF300DT на 65% меньше, чем у сдвоенных устройств в корпусах 6 мм × 5 мм с аналогичными сопротивлениями каналов, что делает прибор одним из самых компактных интегрированных продуктов на рынке. Устройство предоставляет разработчикам возможность создания компактных решений для преобразователей, локализованных к нагрузке, источников питания и синхронных понижающих DC/DC-преобразователей в графических и ускорительных картах, компьютерах, серверах, телекоммуникационном и радиочастотном сетевом оборудовании.
Сдвоенный MOSFET имеет уникальную конфигурацию и конструкцию выводов, позволяющую получить на 11% больший выходной ток на фазу, чем конкурирующие продукты такого же размера, а также увеличить КПД для выходных токов свыше 20 А. Кроме того, конфигурация выводов устройства и большой контакт PGND улучшают теплопередачу, оптимизируют путь тока и упрощают разводку печатной платы.
Транзисторы SiZF300DT проходят стопроцентную проверку на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.
Единичные образцы и небольшие количества новых сдвоенных MOSFET доступны немедленно. Время выполнения крупных заказов составляет 12 недель.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман