Vishay представила самые миниатюрные в отрасли MOSFET транзисторы размером 0.8 × 0.8 мм, в дополнение к первым n- и p-канальным устройствам, имеющие нормированное сопротивление канала при напряжении на затворе 1.2 В. 8-вольтовые n-канальный Si8802DB и p-канальный Si8805EDB TrenchFET силовые MOSFET транзисторы в корпусе MICRO FOOT занимают на 36% меньше площади печатной платы, чем ближайшие по размеру конкурирующие устройства, и при этом предлагают сравнимое или даже меньшее сопротивление в открытом состоянии.
Транзисторы Si8802DB и Si8805EDB могут использоваться для переключения нагрузки в портативных устройствах, включая смартфоны, планшетные ПК, медиа-плееры, и другие мобильные компьютерные устройства. Ультра тонкие MOSFET транзисторы высотой 0.357 мм позволяют экономить драгоценную для этих устройств площадь печатной платы, позволяя создавать более миниатюрные и тонкие мобильные устройства.
Приборы отличаются низким сопротивлением канала при напряжении на затворе 1.5 В, и, кроме того, их сопротивление нормируется при напряжении затвора всего 1.2 В. Это упрощает разработку, так как позволяет транзисторам работать с низковольтными шинами питания в портативных устройствах, устраняет необходимость в использовании добавочного резистора и источника напряжения для p-канального переключателя нагрузки и продлевает время работы аккумуляторов с n-канальными переключателями.
N-канальный транзистор Si8802DB имеет сопротивление в открытом состоянии 54 мОм при 4.5 В, 60 мОм при 2.5 В, 68 мОм при 1.8 В, 86 мОм при 1.5 В и 135 мОм при 1.2 В. Площадь корпуса на 36% меньше, чем у ближайших конкурирующих устройств, а его сопротивление в открытом состоянии при напряжении затвора 1.8 и 1.5 В меньше на 5.5% и 7.5%, соответственно.
P-канальный транзистор Si8805EDB имеет сопротивление в открытом состоянии 68 мОм при 4.5 В, 88 мОм при 2.5 В, 155 мОм при 1.5 В и 290 мОм при 1.2 В. Транзистор занимает на печатной плате площадь на 29% меньшую, чем ближайшие конкурирующие p-канальные устройства, а его сопротивление в открытом состоянии при 4.5 и 2.5 В меньше на 17% и 8%, соответственно. Малое сопротивление каналов транзисторов Si8802DB и Si8805EDB минимизирует падение напряжение на переключателях нагрузки и предотвращает блокировку при пониженном напряжении.
Устройства не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21 и удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC. Si8805EDB выдерживают электростатический разряд до 1500 В.
Уже доступны инженерные образцы новых TrenchFET силовых MOSFET транзисторов Si8802DB и Si8805EDB. Сроки поставки больших партий – от 12 до 14 недель.
Vishay представила самые миниатюрные в отрасли MOSFET транзисторы размером 0.8 × 0.8 мм, в дополнение к первым n- и p-канальным устройствам, имеющие нормированное сопротивление канала при напряжении на затворе 1.2 В. 8-вольтовые n-канальный Si8802DB и p-канальный Si8805EDB TrenchFET силовые MOSFET транзисторы в корпусе MICRO FOOT занимают на 36% меньше площади печатной платы, чем ближайшие по размеру конкурирующие устройства, и при этом предлагают сравнимое или даже меньшее сопротивление в открытом состоянии.
Транзисторы Si8802DB и Si8805EDB могут использоваться для переключения нагрузки в портативных устройствах, включая смартфоны, планшетные ПК, медиа-плееры, и другие мобильные компьютерные устройства. Ультра тонкие MOSFET транзисторы высотой 0.357 мм позволяют экономить драгоценную для этих устройств площадь печатной платы, позволяя создавать более миниатюрные и тонкие мобильные устройства.
Приборы отличаются низким сопротивлением канала при напряжении на затворе 1.5 В, и, кроме того, их сопротивление нормируется при напряжении затвора всего 1.2 В. Это упрощает разработку, так как позволяет транзисторам работать с низковольтными шинами питания в портативных устройствах, устраняет необходимость в использовании добавочного резистора и источника напряжения для p-канального переключателя нагрузки и продлевает время работы аккумуляторов с n-канальными переключателями.
N-канальный транзистор Si8802DB имеет сопротивление в открытом состоянии 54 мОм при 4.5 В, 60 мОм при 2.5 В, 68 мОм при 1.8 В, 86 мОм при 1.5 В и 135 мОм при 1.2 В. Площадь корпуса на 36% меньше, чем у ближайших конкурирующих устройств, а его сопротивление в открытом состоянии при напряжении затвора 1.8 и 1.5 В меньше на 5.5% и 7.5%, соответственно.
P-канальный транзистор Si8805EDB имеет сопротивление в открытом состоянии 68 мОм при 4.5 В, 88 мОм при 2.5 В, 155 мОм при 1.5 В и 290 мОм при 1.2 В. Транзистор занимает на печатной плате площадь на 29% меньшую, чем ближайшие конкурирующие p-канальные устройства, а его сопротивление в открытом состоянии при 4.5 и 2.5 В меньше на 17% и 8%, соответственно. Малое сопротивление каналов транзисторов Si8802DB и Si8805EDB минимизирует падение напряжение на переключателях нагрузки и предотвращает блокировку при пониженном напряжении.
Устройства не содержат галогенов в соответствии с IEC 61249-2-21 и удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2002/95/EC. Si8805EDB выдерживают электростатический разряд до 1500 В.
Уже доступны инженерные образцы новых TrenchFET силовых MOSFET транзисторов Si8802DB и Si8805EDB. Сроки поставки больших партий – от 12 до 14 недель.
Перевод: TenzoR по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Vishay Siliconix MICRO FOOT® N-Channel and P-Channel Power MOSFETs are Industry's First to Feature On-Resistance Ratings Down to 1.2 V in Industry's Smallest Chipscale Package