Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры
Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных интеллектуальных силовых модулей VRPower с интегрированными схемами контроля тока и температуры в корпусах PowerPAK MLP56-39 размером 5мм × 6мм с улучшенной теплопроводностью. Семейство интеллектуальных силовых модулей SiC8xx, разработанное подразделением Vishay Siliconix для снижения затрат на электроэнергию в центрах обработки данных и других объектах высокопроизводительных вычислений и мобильной инфраструктуры 5G, обеспечивает высокую энергоэффективность и точность предоставляемых данных.
Обозначение
Уровень ШИМ
Ток
Входное напряжение
SiC822
5 В
70 А
4.5 В - 16 В
SiC822A
3.3 В
SiC820
5 В
80 А
SiC820A
3.3 В
SiC840
5 В
100 А
SiC840A
3.3 В
SiC832
5 В
70 А
4.5 В - 21 В
SiC832A
3.3 В
SiC830
5 В
80 А
SiC830A
3.3 В
В силовых модулях объединены мощные MOSFET и усовершенствованные микросхемы драйверов. Высокая энергоэффективность устройств является результатом использования внутренних MOSFET, изготовленных на основе новейшей технологии TrenchFET четвертого поколения, обеспечивающей эталонные для отрасли характеристики и значительно снижающей потери переключения и проводимости. Пиковый КПД интеллектуальных силовых модулей SiC8xx превышает 93% в различных условиях применения. Для обеспечения высокого КПД во всем диапазоне выходных токов при малых нагрузках может быть включен режим эмуляции диода.
В то время как контроль энергопотребления, основанный на измерении падения напряжения на постоянном сопротивлении дросселя, дает точность измерения тока порядка 7%, в семействе SiC8xx используется измерение на MOSFET нижнего плеча, обеспечивающее точность лучше 3%. Это приводит к повышению характеристик и лучшему управлению тепловыми режимами схем питания сильноточных процессоров и СнК таких компаний, как Intel, Advanced Micro Devices и Nvidia. Устройства оптимизированы для синхронных понижающих преобразователей.
Интеллектуальные силовые модули SiC8xx поддерживают широкий диапазон входных напряжений от 4.5В до 21В (как показано в таблице) и высокие частоты переключения до 2МГц. Функции безопасности включают в себя предупреждения о коротком замыкании и перегрузке MOSFET верхнего плеча, защиту от перегрева и блокировку при пониженном напряжении. Приборы семейства SiC8xx, в зависимости от версии, могут управляться тристабильными логическими сигналами ШИМ с уровнями 3.3В или 5В, что обеспечивает совместимость с широким спектром ШИМ-контроллеров.
Потребителям уже доступны как единичные образцы, так и промышленные партии интеллектуальных силовых модулей. Срок поставки приборов составляет 16 недель.
Vishay представляет новое семейство сильноточных интеллектуальных силовых модулей VRPower
SiC822 SiC822A SiC820 SiC820A SiC840 SiC840A SiC832 SiC832A SiC830 SiC830A
Устройства для приложений инфраструктуры облачных вычислений и графических карт в корпусе PowerPAK 5 мм × 6 мм, оснащенные встроенными мониторами тока и температуры
Vishay Intertechnology представила девять новых 70-, 80- и 100-амперных интеллектуальных силовых модулей VRPower с интегрированными схемами контроля тока и температуры в корпусах PowerPAK MLP56-39 размером 5 мм × 6 мм с улучшенной теплопроводностью. Семейство интеллектуальных силовых модулей SiC8xx, разработанное подразделением Vishay Siliconix для снижения затрат на электроэнергию в центрах обработки данных и других объектах высокопроизводительных вычислений и мобильной инфраструктуры 5G, обеспечивает высокую энергоэффективность и точность предоставляемых данных.
В силовых модулях объединены мощные MOSFET и усовершенствованные микросхемы драйверов. Высокая энергоэффективность устройств является результатом использования внутренних MOSFET, изготовленных на основе новейшей технологии TrenchFET четвертого поколения, обеспечивающей эталонные для отрасли характеристики и значительно снижающей потери переключения и проводимости. Пиковый КПД интеллектуальных силовых модулей SiC8xx превышает 93% в различных условиях применения. Для обеспечения высокого КПД во всем диапазоне выходных токов при малых нагрузках может быть включен режим эмуляции диода.
В то время как контроль энергопотребления, основанный на измерении падения напряжения на постоянном сопротивлении дросселя, дает точность измерения тока порядка 7%, в семействе SiC8xx используется измерение на MOSFET нижнего плеча, обеспечивающее точность лучше 3%. Это приводит к повышению характеристик и лучшему управлению тепловыми режимами схем питания сильноточных процессоров и СнК таких компаний, как Intel, Advanced Micro Devices и Nvidia. Устройства оптимизированы для синхронных понижающих преобразователей.
Интеллектуальные силовые модули SiC8xx поддерживают широкий диапазон входных напряжений от 4.5 В до 21 В (как показано в таблице) и высокие частоты переключения до 2 МГц. Функции безопасности включают в себя предупреждения о коротком замыкании и перегрузке MOSFET верхнего плеча, защиту от перегрева и блокировку при пониженном напряжении. Приборы семейства SiC8xx, в зависимости от версии, могут управляться тристабильными логическими сигналами ШИМ с уровнями 3.3 В или 5 В, что обеспечивает совместимость с широким спектром ШИМ-контроллеров.
Потребителям уже доступны как единичные образцы, так и промышленные партии интеллектуальных силовых модулей. Срок поставки приборов составляет 16 недель.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман