Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5нКл и выходной заряд 34.2нКл
Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK 1212-8S размером 3.3 мм × 3.3 мм со сниженным тепловым сопротивлением, изготавливаемый с использованием IV поколении технологии TrenchFET. Транзистор, впервые в отрасли оптимизированный для использования со стандартными драйверами затворов, имеет максимальное сопротивление открытого канала, сниженное до 4 мОм при напряжении затвора 10 В. Транзистор SiSS22DN, разработанный подразделением Vishay Siliconix для повышения КПД и плотности мощности импульсных источников питания, имеет низкий заряд затвора 22.5 нК и низкий выходной заряд.
В отличие от 60-вольтовых устройств с логическими уровнями управления, типовое пороговое напряжение затвор исток и напряжение плато Миллера транзистора SiSS22DN изменены для выходных напряжений драйверов затвора свыше 6 В – области, в которой устройство обеспечивает оптимизированные динамические характеристики с минимальным мертвым временем и предотвращает сквозные токи в приложениях синхронного выпрямления. Сопротивление открытого канала SiSS22DN на 4.8% меньше, чем у лучших аналогов, и может конкурировать с приборами, имеющими логические уровни управления, а низкий выходной заряд 34.2 нКл обеспечивает лучшее в своем классе произведение выходного заряда на сопротивление открытого канала – важнейший показатель качества MOSFET, используемых в схемах преобразования энергии. Занимая на печатной плате на 65% меньше площади, чем аналогичные решения в корпусах 6 мм × 5 мм, устройство позволяет повысить плотность мощности системы.
Характеристики SiSS22DN тонко оптимизированы для одновременного снижения потерь проводимости и переключения. Результатом является повышенный КПД, который теперь может быть реализован во многих блоках систем управления питанием, включая синхронные выпрямители в AC/DC и DC/DC преобразователях, первичную сторону импульсных DC/DC преобразователей, полумостовые силовые MOSFET-каскады в понижающе-повышающих преобразователях, источники питания телекоммуникационной и серверной аппаратуры, схемы, выполняющие функцию «ИЛИ» в цепях защиты и управления двигателями в электроинструментах и промышленном оборудовании, а также устройства защиты и заряда батарей в модулях управления аккумуляторами.
MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.
Доступны единичные образцы и промышленные партии транзисторов SiSS22DN. Время выполнения заказа, в зависимости от рыночных условий, составляет до 30 недель.
SiSS22DN
Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл
Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK 1212-8S размером 3.3 мм × 3.3 мм со сниженным тепловым сопротивлением, изготавливаемый с использованием IV поколении технологии TrenchFET. Транзистор, впервые в отрасли оптимизированный для использования со стандартными драйверами затворов, имеет максимальное сопротивление открытого канала, сниженное до 4 мОм при напряжении затвора 10 В. Транзистор SiSS22DN, разработанный подразделением Vishay Siliconix для повышения КПД и плотности мощности импульсных источников питания, имеет низкий заряд затвора 22.5 нК и низкий выходной заряд.
В отличие от 60-вольтовых устройств с логическими уровнями управления, типовое пороговое напряжение затвор исток и напряжение плато Миллера транзистора SiSS22DN изменены для выходных напряжений драйверов затвора свыше 6 В – области, в которой устройство обеспечивает оптимизированные динамические характеристики с минимальным мертвым временем и предотвращает сквозные токи в приложениях синхронного выпрямления. Сопротивление открытого канала SiSS22DN на 4.8% меньше, чем у лучших аналогов, и может конкурировать с приборами, имеющими логические уровни управления, а низкий выходной заряд 34.2 нКл обеспечивает лучшее в своем классе произведение выходного заряда на сопротивление открытого канала – важнейший показатель качества MOSFET, используемых в схемах преобразования энергии. Занимая на печатной плате на 65% меньше площади, чем аналогичные решения в корпусах 6 мм × 5 мм, устройство позволяет повысить плотность мощности системы.
Характеристики SiSS22DN тонко оптимизированы для одновременного снижения потерь проводимости и переключения. Результатом является повышенный КПД, который теперь может быть реализован во многих блоках систем управления питанием, включая синхронные выпрямители в AC/DC и DC/DC преобразователях, первичную сторону импульсных DC/DC преобразователей, полумостовые силовые MOSFET-каскады в понижающе-повышающих преобразователях, источники питания телекоммуникационной и серверной аппаратуры, схемы, выполняющие функцию «ИЛИ» в цепях защиты и управления двигателями в электроинструментах и промышленном оборудовании, а также устройства защиты и заряда батарей в модулях управления аккумуляторами.
MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат галогенов.
Доступны единичные образцы и промышленные партии транзисторов SiSS22DN. Время выполнения заказа, в зависимости от рыночных условий, составляет до 30 недель.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман