Vishay выпускает 100-вольтовый p-канальный автомобильный MOSFET с лучшим в своем классе сопротивлением открытого канала
SQJ211ELP
Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5мм × 6мм с выводами типа «крыло чайки» с сопротивлением открытого канала всего 30мОм
Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенный для повышения удельной мощности и КПД автомобильных приложений. Выпущенный подразделением Vishay Siliconix транзистор SQJ211ELP является не только первым в отрасли прибором такого класса в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки», но и лучшим в своей группе MOSFET с сопротивлением открытого канала 30 мОм при напряжении затвора 10 В.
По сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусах DPAK и D2PAK, новый MOSFET для автомобильной промышленности обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии на 26% и 46%, соответственно, при площади корпуса меньшей на 50% и 76%. Низкое сопротивление открытого SQJ211ELP позволяет экономить энергию за счет снижения потерь проводимости, а его превосходный заряд затвора 45 нКл при 10 В снижает потери в драйвере затвора.
Благодаря максимальной рабочей температуре +175 °C, MOSFET обеспечивает высокую надежность, необходимую для автомобильных приложений, таких как защита от переполюсовки питания, управление аккумуляторными батареями, коммутация нагрузки в верхнем плече и светодиодное освещение. Кроме того, выводы типа «крыло чайки» транзистора SQJ211ELP расширяют возможности автоматического оптического контроля и снижают механические напряжения, повышая надежность на уровне платы.
Номинальное напряжение –100 В обеспечивает запас прочности, необходимый для поддержки нескольких популярных шин входного напряжения, включая системы с напряжениями 12, 24 и 48 В. Помимо этого, как и все p-канальные MOSFET, SQJ211ELP позволяет упростить конструкции драйверов затворов, не требуя зарядовых насосов, необходимых его n-канальным аналогам. MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат свинца и галогенов.
В настоящее время доступны образцы и промышленные количества транзисторов SQJ211ELP. Срок выполнения крупных заказов составляет 14 недель.
Vishay выпускает 100-вольтовый p-канальный автомобильный MOSFET с лучшим в своем классе сопротивлением открытого канала
SQJ211ELP
Первое в отрасли устройство в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки» с сопротивлением открытого канала всего 30 мОм
Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенный для повышения удельной мощности и КПД автомобильных приложений. Выпущенный подразделением Vishay Siliconix транзистор SQJ211ELP является не только первым в отрасли прибором такого класса в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки», но и лучшим в своей группе MOSFET с сопротивлением открытого канала 30 мОм при напряжении затвора 10 В.
По сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусах DPAK и D2PAK, новый MOSFET для автомобильной промышленности обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии на 26% и 46%, соответственно, при площади корпуса меньшей на 50% и 76%. Низкое сопротивление открытого SQJ211ELP позволяет экономить энергию за счет снижения потерь проводимости, а его превосходный заряд затвора 45 нКл при 10 В снижает потери в драйвере затвора.
Благодаря максимальной рабочей температуре +175 °C, MOSFET обеспечивает высокую надежность, необходимую для автомобильных приложений, таких как защита от переполюсовки питания, управление аккумуляторными батареями, коммутация нагрузки в верхнем плече и светодиодное освещение. Кроме того, выводы типа «крыло чайки» транзистора SQJ211ELP расширяют возможности автоматического оптического контроля и снижают механические напряжения, повышая надежность на уровне платы.
Номинальное напряжение –100 В обеспечивает запас прочности, необходимый для поддержки нескольких популярных шин входного напряжения, включая системы с напряжениями 12, 24 и 48 В. Помимо этого, как и все p-канальные MOSFET, SQJ211ELP позволяет упростить конструкции драйверов затворов, не требуя зарядовых насосов, необходимых его n-канальным аналогам. MOSFET подвергаются стопроцентной проверке на значение сопротивления затвора и соответствие требованиям стандарта UIS. Приборы отвечают предписаниям директивы RoHS и не содержат свинца и галогенов.
В настоящее время доступны образцы и промышленные количества транзисторов SQJ211ELP. Срок выполнения крупных заказов составляет 14 недель.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман