К своему семейству TrenchFET компания Vishay добавила новый 20-вольтовый MOSFET в корпусе MICRO FOOT с размерами кристалла (CSP), имеющем габариты 0.8 × 0.8 мм и сверхмалую толщину 0.357 мм. Разработанные для сокращения занимаемого пространства, снижения потребляемой мощности и увеличения времени автономной работы смартфонов, планшетов, носимых устройств, твердотельных накопителей и таких портативных медицинских приборов, как слуховые аппараты, транзисторы Si8824EDB имеют наименьшее сопротивление открытого канала среди всех доступных на рынке 20-вольтовых устройств в корпусах подобного размера.
Оптимизированные для схем переключателей нагрузки, малосигнальных коммутаторов и быстродействующих ключей в приложениях управления питанием, транзисторы Si8824EDB имеют сверхнизкое сопротивление открытого канала: 75 мОм при напряжении затвор-исток, равном 4.5 В, 82 мОм при 2.5 В, 90 мОм при 1.8 В, 125 мОм при 1.5 В и 175 мОм при 1.2 В. Эти значения до 25% меньше, чем у 20-вольтовых MOSFET, выпускаемых ближайшими конкурентами в аналогичных корпусах CSP, и до 65% меньше, чем у 20-вольтовых транзисторов конкурентов в корпусах DFN с размерами 1 × 0.6 мм. Комбинация допустимого напряжения сток-исток, равного 20 В, устойчивости к электростатическим разрядам, параметров, гарантированных при напряжении затвора 1.2 В, и низкого сопротивления открытого канала обеспечивают гибкость управления затвором и большой запас надежности для приложений, питающихся от литий-ионных аккумуляторов.
Si8824EDB имеют рекордно малое отношение сопротивления открытого канала к площади кристалла – 40 мОм/мм2, что на 28% меньше, чем у 20-вольтовых MOSFET ближайших конкурентов, выпускаемых в корпусах DFN с размерами 1 × 0.6 мм. Транзисторы выдерживают разряды статического электричества до 2000 В по модели человеческого тела.
Потребителям доступны как единичные образцы, так и промышленные партии транзисторов Si8824EDB. При больших объемах заказа сток поставки составляет 12…14 недель.
К своему семейству TrenchFET компания Vishay добавила новый 20-вольтовый MOSFET в корпусе MICRO FOOT с размерами кристалла (CSP), имеющем габариты 0.8 × 0.8 мм и сверхмалую толщину 0.357 мм. Разработанные для сокращения занимаемого пространства, снижения потребляемой мощности и увеличения времени автономной работы смартфонов, планшетов, носимых устройств, твердотельных накопителей и таких портативных медицинских приборов, как слуховые аппараты, транзисторы Si8824EDB имеют наименьшее сопротивление открытого канала среди всех доступных на рынке 20-вольтовых устройств в корпусах подобного размера.
Оптимизированные для схем переключателей нагрузки, малосигнальных коммутаторов и быстродействующих ключей в приложениях управления питанием, транзисторы Si8824EDB имеют сверхнизкое сопротивление открытого канала: 75 мОм при напряжении затвор-исток, равном 4.5 В, 82 мОм при 2.5 В, 90 мОм при 1.8 В, 125 мОм при 1.5 В и 175 мОм при 1.2 В. Эти значения до 25% меньше, чем у 20-вольтовых MOSFET, выпускаемых ближайшими конкурентами в аналогичных корпусах CSP, и до 65% меньше, чем у 20-вольтовых транзисторов конкурентов в корпусах DFN с размерами 1 × 0.6 мм. Комбинация допустимого напряжения сток-исток, равного 20 В, устойчивости к электростатическим разрядам, параметров, гарантированных при напряжении затвора 1.2 В, и низкого сопротивления открытого канала обеспечивают гибкость управления затвором и большой запас надежности для приложений, питающихся от литий-ионных аккумуляторов.
Si8824EDB имеют рекордно малое отношение сопротивления открытого канала к площади кристалла – 40 мОм/мм2, что на 28% меньше, чем у 20-вольтовых MOSFET ближайших конкурентов, выпускаемых в корпусах DFN с размерами 1 × 0.6 мм. Транзисторы выдерживают разряды статического электричества до 2000 В по модели человеческого тела.
Потребителям доступны как единичные образцы, так и промышленные партии транзисторов Si8824EDB. При больших объемах заказа сток поставки составляет 12…14 недель.