Устройство в корпусе MICRO FOOT с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала среди MOSFET с рабочим напряжением 20 В в корпусах размером 1 мм2
Vishay Intertechnology представила новый 20-вольтовый N-канальный TrenchFET MOSFET, разработанный с целью экономии площади платы, снижения потерь мощности и увеличения времени автономной работы носимых устройств, смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей. Выпускаемые в сверхнизком корпусе MICRO FOOT с высотой не превышающей 0.54 мм, транзисторы Vishay Siliconix Si8410DB имеют наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала среди любых устройств с рабочим напряжением 20 В, и занимают площадь всего 1 мм2.
Оптимизированный для использования в качестве коммутатора нагрузки, слаботочного ключа и быстродействующего переключателя в схемах управления питанием, Si8410DB отличается чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала: 37 мОм при 4.5 В, 41 мОм при напряжении затвор-исток, равном 2.5 В, 47 мОм при 1.8 В и 68 мОм при 1.5 В. Сравнение по этому параметру с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусе CSP площадью 1 мм2 показывает улучшение на 26% для напряжения затвор-исток 4.5 В, 32% для 2.5 В, 35% для 1.8 В и 27% для 1.5 В. При сравнении с устройствами в корпусах DFN аналогичного размера, сопротивление открытого канала оказывается ниже на 32% при 4.5 В, на 40% при 2.5 В, на 48% при 1.8 В и на 43% при 1.5 В. Сочетание низкого сопротивления открытого канала, нормированного для напряжений затвора до 1.5 В, и высокого допустимого напряжения затвор-исток (±8 В), обеспечивают запас надежности, гибкость в выборе драйвера затвора и хорошие характеристики устройств с питанием от литий-ионных аккумуляторов.
Si8410DB имеет чрезвычайно низкое удельное сопротивление открытого канала – 30 мОм/мм2 что на 28% меньше, чем у ближайших конкурентов с рабочим напряжением 20 В в пластиковых корпусах площадью 1 мм2. Это позволит сэкономить объем и снизить мощность, потребляемую от аккумуляторов мобильных устройств. Комбинация пониженного сопротивления открытого канала и малого теплового сопротивления уменьшает нагрев до 45% и 144% по сравнению с лучшими приборами в корпусах CSP и в квадратных корпусах площадью 1 мм2, соответственно.
Поставка, как единичных образцов, так и промышленных партий Si8410DB возможна уже сейчас. Срок исполнения крупных заказов составляет 13 недель.
Устройство в корпусе MICRO FOOT с самым низким в отрасли сопротивлением открытого канала среди MOSFET с рабочим напряжением 20 В в корпусах размером 1 мм2
Vishay Intertechnology представила новый 20-вольтовый N-канальный TrenchFET MOSFET, разработанный с целью экономии площади платы, снижения потерь мощности и увеличения времени автономной работы носимых устройств, смартфонов, планшетов и твердотельных накопителей. Выпускаемые в сверхнизком корпусе MICRO FOOT с высотой не превышающей 0.54 мм, транзисторы Vishay Siliconix Si8410DB имеют наименьшее в отрасли сопротивление открытого канала среди любых устройств с рабочим напряжением 20 В, и занимают площадь всего 1 мм2.
Оптимизированный для использования в качестве коммутатора нагрузки, слаботочного ключа и быстродействующего переключателя в схемах управления питанием, Si8410DB отличается чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала: 37 мОм при 4.5 В, 41 мОм при напряжении затвор-исток, равном 2.5 В, 47 мОм при 1.8 В и 68 мОм при 1.5 В. Сравнение по этому параметру с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусе CSP площадью 1 мм2 показывает улучшение на 26% для напряжения затвор-исток 4.5 В, 32% для 2.5 В, 35% для 1.8 В и 27% для 1.5 В. При сравнении с устройствами в корпусах DFN аналогичного размера, сопротивление открытого канала оказывается ниже на 32% при 4.5 В, на 40% при 2.5 В, на 48% при 1.8 В и на 43% при 1.5 В. Сочетание низкого сопротивления открытого канала, нормированного для напряжений затвора до 1.5 В, и высокого допустимого напряжения затвор-исток (±8 В), обеспечивают запас надежности, гибкость в выборе драйвера затвора и хорошие характеристики устройств с питанием от литий-ионных аккумуляторов.
Si8410DB имеет чрезвычайно низкое удельное сопротивление открытого канала – 30 мОм/мм2 что на 28% меньше, чем у ближайших конкурентов с рабочим напряжением 20 В в пластиковых корпусах площадью 1 мм2. Это позволит сэкономить объем и снизить мощность, потребляемую от аккумуляторов мобильных устройств. Комбинация пониженного сопротивления открытого канала и малого теплового сопротивления уменьшает нагрев до 45% и 144% по сравнению с лучшими приборами в корпусах CSP и в квадратных корпусах площадью 1 мм2, соответственно.
Поставка, как единичных образцов, так и промышленных партий Si8410DB возможна уже сейчас. Срок исполнения крупных заказов составляет 13 недель.