За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически до уровня их кремниевых собратьев.
Использование полупроводниковых приборов на основе карбида кремния позволяет улучшить все ключевые характеристики импульсных источников питания, поэтому многие специалисты всерьез рассматривают их в качестве элементной базы для преобразователей электрической энергии следующего поколения. Привлекательность карбида кремния (SiC) связана, в первую очередь, с тем, что по своей структуре, электрическим характеристикам и методам управления карбид-кремниевые приборы похожи на свои кремниевые аналоги, поэтому конечным разработчикам для освоения новой элементной базы понадобится лишь незначительная адаптация существующих методов проектирования.
За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC практически до уровня их кремниевых собратьев.
Использование полупроводниковых приборов на основе карбида кремния позволяет улучшить все ключевые характеристики импульсных источников питания, поэтому многие специалисты всерьез рассматривают их в качестве элементной базы для преобразователей электрической энергии следующего поколения. Привлекательность карбида кремния (SiC) связана, в первую очередь, с тем, что по своей структуре, электрическим характеристикам и методам управления карбид-кремниевые приборы похожи на свои кремниевые аналоги, поэтому конечным разработчикам для освоения новой элементной базы понадобится лишь незначительная адаптация существующих методов проектирования.
Читать статью »