Новости электроники от EHAM.RU по тэгу GaN Systems
-
Обнародовав характеристики новых 120-амперных 650-вольтовых нитрид-галлиевых (GaN) E-HEMT транзисторов, канадская компания GaN Systems подтвердила свое лидирующее положение в отрасли мощных GaN приборов. Растущие уровни мощности порождают потребность во все более высоких рабочих токах. Поэтому много...
GaN Systems -
Канадская компания GaN Systems представила самые сильноточные и энергоэффективные в отрасли 100-вольтовые GaN E-HEMT GS-010-120-1-T с сопротивлением открытого канала 5 мОм и максимальным током 120 А. По величине допустимого тока новый прибор в 1.3 раза превосходит 90-амперный транзистор, выпускаемый...
GaN Systems -
650-вольтовые GaN E-HEMT с рабочими токами 150 А и 80 А для рынков электрических транспортных средств, накопителей энергии и приводов промышленных двигателей GaN Systems анонсировала самые сильноточные в отрасли 650-вольтовые GaN транзисторы с высокой подвижностью электронов (E-HEMT),...
GaN Systems
