Ученые из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) создали на основе двух материалов с интересными электронными свойствами – графена и молибденита – прототип flash-памяти, которая может оказаться очень перспективной с точки зрения характеристик, размеров и энергопотребления.
Flash-память на основе молибденита является значительным шагом вперед в направлении использования этого нового материала в электронных устройствах. Новость еще более впечатляет тем, что ученым из находящейся в EPFL Лаборатории наноэлектроники и наноструктур (LANES), пришла в голову оригинальная идея объединить этот полупроводниковый материал с другим материалом с превосходными свойствами – графеном.
Два года назад исследователи из LANES обнаружили перспективные электронные свойства молибденита (MoS2), минерала, широко распространенного в природе. Спустя несколько месяцев они продемонстрировали возможность создания на его основе эффективной микросхемы. Теперь ученые пошли дальше, разработав прототип flash-памяти, представляющий собой ячейку, которая не только может хранить данные но и не теряет их при отсутствии питания. Такой тип памяти используется в цифровых устройствах, таких, как камеры, телефоны, ноутбуки и принтеры.
Чтобы создать новую модель памяти, ученые совместили уникальные электронные свойства молибденита с великолепной проводимостью графена. Молибденит и графен имеют много общего. Оба материала, как ожидается, позволят преодолеть физические ограничения нынешних кремниевых микросхем и электронных транзисторов. Благодаря двумерной химической структуре новая разработка имеет огромный потенциал с точки зрения миниатюризации и механической гибкости.
Хотя проводимость графена лучше, молибденит превосходит его по полупроводниковым свойствам. MoS2 обладает идеальной энергетической зоной, чего нет у графена, что позволяет с малыми затратами энергии легко переводить его из «включенного» состояния в «выключенное». Объединение этих двух материалов может стать началом нового направления развития микроэлектроники.
Прототип разработанного в LANES транзистора похож на сэндвич. В середине вместо кремния находится тонкий слой проводящего электроны молибденита. Внизу расположены графеновые электроды, подводящие электричество к слою MoS2. Вверху ученые также поместили элемент, сделанный из нескольких слоев графена, который удерживает электрический заряд и, таким образом, хранит информацию.
Ученые из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) создали на основе двух материалов с интересными электронными свойствами – графена и молибденита – прототип flash-памяти, которая может оказаться очень перспективной с точки зрения характеристик, размеров и энергопотребления.
Flash-память на основе молибденита является значительным шагом вперед в направлении использования этого нового материала в электронных устройствах. Новость еще более впечатляет тем, что ученым из находящейся в EPFL Лаборатории наноэлектроники и наноструктур (LANES), пришла в голову оригинальная идея объединить этот полупроводниковый материал с другим материалом с превосходными свойствами – графеном.
Два года назад исследователи из LANES обнаружили перспективные электронные свойства молибденита (MoS2), минерала, широко распространенного в природе. Спустя несколько месяцев они продемонстрировали возможность создания на его основе эффективной микросхемы. Теперь ученые пошли дальше, разработав прототип flash-памяти, представляющий собой ячейку, которая не только может хранить данные но и не теряет их при отсутствии питания. Такой тип памяти используется в цифровых устройствах, таких, как камеры, телефоны, ноутбуки и принтеры.
Чтобы создать новую модель памяти, ученые совместили уникальные электронные свойства молибденита с великолепной проводимостью графена. Молибденит и графен имеют много общего. Оба материала, как ожидается, позволят преодолеть физические ограничения нынешних кремниевых микросхем и электронных транзисторов. Благодаря двумерной химической структуре новая разработка имеет огромный потенциал с точки зрения миниатюризации и механической гибкости.
Хотя проводимость графена лучше, молибденит превосходит его по полупроводниковым свойствам. MoS2 обладает идеальной энергетической зоной, чего нет у графена, что позволяет с малыми затратами энергии легко переводить его из «включенного» состояния в «выключенное». Объединение этих двух материалов может стать началом нового направления развития микроэлектроники.
Прототип разработанного в LANES транзистора похож на сэндвич. В середине вместо кремния находится тонкий слой проводящего электроны молибденита. Внизу расположены графеновые электроды, подводящие электричество к слою MoS2. Вверху ученые также поместили элемент, сделанный из нескольких слоев графена, который удерживает электрический заряд и, таким образом, хранит информацию.