Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства микросхем
256 Мб XDR (eXreme Datа Rate), нового поколения памяти для продуктов мультимедиа.
256 Мб XDR оснащен новой технологией Octal Data Rate, которая позволяет
передавать данные с тактовой частотой 8 бит.
Скорость XDR в 10 раз выше, чем у чипов DDR 400, и в 5 раз превосходит аналогичный показатель
памяти RDRAM (PC800). Для обеспечения стабильной передачи данных на сверхвысоких скоростях
Samsung использует технологию дифференцирования уровней сигналов, DRSL (Differential Rambus
Signaling Levels).
Более того, в первой половине этого года Samsung планирует выпустить на рынок 512 Мб XDRT DRAM с
пропускной способностью до 12,8 Мб в секунду.
Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства микросхем 256 Мб XDR (eXreme Datа Rate), нового поколения памяти для продуктов мультимедиа.
Скорость XDR в 10 раз выше, чем у чипов DDR 400, и в 5 раз превосходит аналогичный показатель памяти RDRAM (PC800). Для обеспечения стабильной передачи данных на сверхвысоких скоростях Samsung использует технологию дифференцирования уровней сигналов, DRSL (Differential Rambus Signaling Levels).
Более того, в первой половине этого года Samsung планирует выпустить на рынок 512 Мб XDRT DRAM с пропускной способностью до 12,8 Мб в секунду.