EEV-TG2A101M Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


EEV-TG2A101M - 60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER




Название/Part No:
EEV-TG2A101M

Описание/Description:
60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER

Производитель/Maker:
RF Micro Devices (RFMD)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


EEV-TG2A101M и другие

Компонент Описание Производитель PDF
EEV-TG2A101M
60W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER
RF Micro Devices
EEV-TG2A101M
120W GaN WIDEBAND POWER AMPLIFIER
RF Micro Devices
EEV-TG2A101M
90W GaN WIDE-BAND POWER AMPLIFIER
RF Micro Devices
EEVTG2A101M
Aluminum Electrolytic Capacitor/TG
Panasonic Semiconductor

Реклама