F1208 datasheet

F1208 - PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

Название/Part No:

F1208

Описание/Description:

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

Производитель/Maker:

Polyfet RF Devices (POLYFET)

Ссылка на datasheet:

F1208 и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
0001.2001	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2002	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2005	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2011	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2012	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2021	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2022	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2023	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2024	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation
0001.2025	D-SICHERUNGSMATERIAL / MATERIEL DE COUPE-CIRCUIT D	Cherry Semiconductor Corporation