GT50J121 Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


GT50J121 - TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT




Название/Part No:
GT50J121

Описание/Description:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Производитель/Maker:
Toshiba Semiconductor (TOSHIBA)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


GT50J121 и другие

Компонент Описание Производитель PDF
GT50J121
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
Toshiba Semiconductor
GT50J121
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
Toshiba Semiconductor
GT50J121_06
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
Toshiba Semiconductor
GT50J122
Current Resonance Inverter Switching Application
Toshiba Semiconductor

Реклама