GT10J312_06 Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты

GT10J312_06 - SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

GT10J312_06 datasheet - SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS



Название/Part No:
GT10J312_06

Описание/Description:
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Производитель/Maker:
Toshiba Semiconductor (TOSHIBA)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

GT10J312_06 и другие

Компонент Описание Производитель PDF
GT10J312_06
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor

Реклама