K4R271869B-MCG6 Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты

K4R271869B-MCG6 - 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.

K4R271869B-MCG6 datasheet - 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.



Название/Part No:
K4R271869B-MCG6

Описание/Description:
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K4R271869B-MCG6 и другие

Компонент Описание Производитель PDF
K4R271869B-MCG6
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.
Samsung semiconductor

Реклама