K4F170412D-F Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


K4F170412D-F - 4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.




Название/Part No:
K4F170412D-F

Описание/Description:
4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


K4F170412D-F и другие

Компонент Описание Производитель PDF
K4F170412D
4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
Samsung semiconductor
K4F170412D-B
4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.
Samsung semiconductor
K4F170412D-B
4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.
Samsung semiconductor
K4F170412D-F
4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.
Samsung semiconductor
K4F170412D-F
4M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. Supply voltage 3.3V, 4K refresh cycle.
Samsung semiconductor

Реклама