KMM5361205C2WG datasheet

KMM5361205C2WG - 1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh

Название/Part No:

KMM5361205C2WG

Описание/Description:

1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh

Производитель/Maker:

Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

KMM5361205C2WG и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
KMM5361205C2W	1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh	Samsung semiconductor
KMM5361205C2WG	1M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh	Samsung semiconductor