PTF180101M Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


PTF180101M - High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 2.0 GHz




Название/Part No:
PTF180101M

Описание/Description:
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 2.0 GHz

Производитель/Maker:
Infineon Technologies AG (INFINEON)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


PTF180101M и другие

Компонент Описание Производитель PDF
PTF180101
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
Infineon Technologies AG
PTF180101M
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 1.0 2.0 GHz
Infineon Technologies AG
PTF180101S
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
Infineon Technologies AG

Реклама