PTF080101S datasheet

PTF080101S - Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

Название/Part No:

PTF080101S

Описание/Description:

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

Производитель/Maker:

Infineon Technologies AG (INFINEON)

Ссылка на datasheet:

PTF080101S и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
PTF080101	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ	Infineon Technologies AG
PTF080101M	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 960 MHz	Infineon Technologies AG
PTF080101S	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz	Infineon Technologies AG