RJK03C1DPB Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


RJK03C1DPB - Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching




Название/Part No:
RJK03C1DPB

Описание/Description:
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Производитель/Maker:
Renesas Technology Corp (RENESAS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


RJK03C1DPB и другие

Компонент Описание Производитель PDF
RJK03C1DPB
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Renesas Technology Corp
RJK03C1DPB-00-J5
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Renesas Technology Corp

Реклама