RJK03E6DPA Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


RJK03E6DPA - Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching




Название/Part No:
RJK03E6DPA

Описание/Description:
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Производитель/Maker:
Renesas Technology Corp (RENESAS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


RJK03E6DPA и другие

Компонент Описание Производитель PDF
RJK03E6DPA
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Renesas Technology Corp
RJK03E6DPA-00-J53
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
Renesas Technology Corp

Реклама