VB20120SG-E3/4W Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


VB20120SG-E3/4W - High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier




Название/Part No:
VB20120SG-E3/4W

Описание/Description:
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Производитель/Maker:
Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


VB20120SG-E3/4W и другие

Компонент Описание Производитель PDF
VB20120SG-E3-4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB20120SG-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB20120SG-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix

Реклама