VB20120S-E3/8W datasheet

VB20120S-E3/8W - High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Название/Part No:

VB20120S-E3/8W

Описание/Description:

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Производитель/Maker:

Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

VB20120S-E3/8W и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
VB20120S-E3/8W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A	Vishay Siliconix
VB20120S-E3/8W	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Vishay Siliconix