VB40100G-E3/8W datasheet

VB40100G-E3/8W - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Название/Part No:

VB40100G-E3/8W

Описание/Description:

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Производитель/Maker:

Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

VB40100G-E3/8W и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
VB40100G-E3/8W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	Vishay Siliconix
VB40100G-E3/8W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A	Vishay Siliconix