VB60100C Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


VB60100C - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier




Название/Part No:
VB60100C

Описание/Description:
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Производитель/Maker:
Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


VB60100C и другие

Компонент Описание Производитель PDF
HT23B60-100QFP-A
60x11 Pixel Data Bank 8-Bit Mask MCU
Holtek Semiconductor Inc
SB60-100
DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER IN A TO-258 HERMETICALLY SEALED PACKAGE FOR HI-REL APPLICATIONS
Seme LAB
SB60-100M
100V, 60A Dual Schottky common cathode Rectifier diode
Seme LAB
VB60100C
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB60100C
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix
VB60100C-E3/4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB60100C-E3/4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix
VB60100C-E3/4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB60100C-E3/8W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VB60100C-E3/8W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix

Реклама