VB30100C-E3/4W Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты

VB30100C-E3/4W - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

VB30100C-E3/4W datasheet - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A



Название/Part No:
VB30100C-E3/4W

Описание/Description:
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

Производитель/Maker:
Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

VB30100C-E3/4W и другие

Компонент Описание Производитель PDF
VB30100C-E3/4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix
VB30100C-E3/4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix

Реклама