VI20120C datasheet

VI20120C - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Название/Part No:

VI20120C

Описание/Description:

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Производитель/Maker:

Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

VI20120C и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
MI201209	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-1R0	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-1R2	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-1R5	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-1R8	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-2R2	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-47N	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-68N	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-82N	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD
MI201209-R10	MULTILAYER CHIP INDUCTORS	Productwell Precision Elect.CO.,LTD