VI10150C Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


VI10150C - Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier




Название/Part No:
VI10150C

Описание/Description:
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Производитель/Maker:
Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


VI10150C и другие

Компонент Описание Производитель PDF
EPI101501F3030L
Contents Surface Mount Power Inductor
PCA ELECTRONICS INC.
EPI101501F3030L
Surface Mount Power Inductors
PCA ELECTRONICS INC.
VI10150C
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VI10150C
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VI10150C
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A
Vishay Siliconix
VI10150C
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VI10150C-E3-4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VI10150C-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VI10150C-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A
Vishay Siliconix
VI10150CHM3-4W
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix

Реклама