VF20120SG Datasheet

Поиск по документации на электронные компоненты


VF20120SG - High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier




Название/Part No:
VF20120SG

Описание/Description:
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Производитель/Maker:
Vishay Siliconix (VISHAY)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу


VF20120SG и другие

Компонент Описание Производитель PDF
GF20120SB100K
20mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls
TOCOSAMERICA, INC.
GF20120SB101K
20mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls
TOCOSAMERICA, INC.
GF20120SB102K
20mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls
TOCOSAMERICA, INC.
GF20120SB103K
20mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls
TOCOSAMERICA, INC.
GF20120SB105K
20mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls
TOCOSAMERICA, INC.
VF20120S
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix
VF20120S
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VF20120S-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix
VF20120S-E3/4W
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
Vishay Siliconix
VF20120SG
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Vishay Siliconix

Реклама