Статьи по силовой электронике для инженеров и студентов технических специальностей
-
ШИМ-контроллеры малой мощности TinySwitch от Power Integrations
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:19
- комментариев: 0
ШИМ-контроллеры малой мощности TinySwitch от Power Integrations
Что такое TinySwitch? Почему в последнее время об этих микрочипах идет столько разговоров? Послушаем мнение на этот счет знающих людей. Говард Эрхард, президент и исполнительный директор Power Integrations: «Мы предлагаем решение проблемы энергетических утечек, проблемы, которая до сих... -
Топология частотных преобразователей средней и большой мощности
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:19
- комментариев: 0
Топология частотных преобразователей средней и большой мощности
Продолжаем тему, начатую в статье «Методы теплового расчета импульсных силовых каскадов», опубликованной в № 1’2002 журнала "Компонетны и технологии". Предлагаемая статья поможет разработчикам разобраться с проблемами, возникающими в силовых импульсных каскадах, правильно выбрать снабберные цепи и оптимизировать топологию... -
Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:18
- комментариев: 0
Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами
Введение
Преимущества IGBT транзисторов при использовании их в импульсных силовых каскадах (особенно высоковольтных) общеизвестны: это высокая плотность тока, малые статические и динамические потери, отсутствие тока управления, устойчивость к короткому замыканию, простота... -
Современные силовые запираемые тиристоры
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:18
- комментариев: 0
Современные силовые запираемые тиристоры
Введение
Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники началось в 1953 г. когда стало возможным получение кремния высокой чистоты и формирование кремниевых дисков больших размеров. В 1955 г. был впервые создан полупроводниковый управляемый прибор, имеющий четырёхслойную... -
Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:18
- комментариев: 0
Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Устройство и особенности работы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.
...> > -
Полупроводниковый ключ переменного тока
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:18
- комментариев: 0
-
Полимерные предохранители PolySwitch — надежный способ обратимой защиты электрич
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:17
- комментариев: 0
Полимерные предохранители PolySwitch — надежный способ обратимой защиты электрич
Элементы защиты электрических цепей PolySwitch производства Tyco Electronics Raychem — это приборы на токопроводящих полимерах с положительным температурным коэффициентом. При электрической перегрузке цепи или коротком замыкании в ней эти приборы ведут себя как обращаемые плавкие предохранители,... -
Одна голова хорошо, а три - уже свобода выбора!
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:17
- комментариев: 0
Одна голова хорошо, а три - уже свобода выбора!
Как и в других видах бизнеса, в основе которых лежит выпуск каких либо товаров, в сфере производства электронных компонентов существует небезызвестная тенденция: как только какой-то элемент становится популярен у большого числа потребителей, другие фирмы - производители... -
Обеспечение защиты от перегрузки в MOSFET драйверах
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:17
- комментариев: 0
Обеспечение защиты от перегрузки в MOSFET драйверах
Введение
Силовые транзисторы IGBT и MOSFET стали основными элементами, применяемыми в мощных импульсных преобразователях. Их уникальные статические и динамические характеристики позволяют создавать устройства, отдающие в нагрузку сотни кВт при минимальных габаритах и кпд, превышающем... -
Как повысить КПД трансформатора?
- Создано: admin
- Опубликовано: 03.06.2017, 22:17
- комментариев: 0
Как повысить КПД трансформатора?
Многим известно, что практически ни одно мощное радиоэлектронное устройство не обходится без использования трансформаторов. Трансформатор представляет собой магнитопровод, состоящий из ферромагнитного материала, с намотанными поверх него медными обмотками. Как правило,...
В этом канале нет статей.
Пожалуйста, войдите, используя своё имя участника, чтобы увидеть список сообщений из подписки.
Категории
Свернуть
Метки статей
Свернуть
Меток пока нет.
Новые статьи
Свернуть
-
от adminЧто такое TinySwitch? Почему в последнее время об этих микрочипах идет столько разговоров? Послушаем мнение на этот счет знающих людей. Говард Эрхард, президент и исполнительный директор Power Integrations: «Мы предлагаем решение проблемы энергетических утечек, проблемы, которая до сих...
-
Канал: Силовая электроника
03.06.2017, 22:19 -
-
от adminПродолжаем тему, начатую в статье «Методы теплового расчета импульсных силовых каскадов», опубликованной в № 1’2002 журнала "Компонетны и технологии". Предлагаемая статья поможет разработчикам разобраться с проблемами, возникающими в силовых импульсных каскадах, правильно выбрать снабберные цепи и оптимизировать топологию...
-
Канал: Силовая электроника
03.06.2017, 22:19 -
-
от adminВведение
Преимущества IGBT транзисторов при использовании их в импульсных силовых каскадах (особенно высоковольтных) общеизвестны: это высокая плотность тока, малые статические и динамические потери, отсутствие тока управления, устойчивость к короткому замыканию, простота...-
Канал: Силовая электроника
03.06.2017, 22:18 -
-
от adminВведение
Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники началось в 1953 г. когда стало возможным получение кремния высокой чистоты и формирование кремниевых дисков больших размеров. В 1955 г. был впервые создан полупроводниковый управляемый прибор, имеющий четырёхслойную...-
Канал: Силовая электроника
03.06.2017, 22:18 -
-
от adminУстройство и особенности работы
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.
...> > -
Канал: Силовая электроника
03.06.2017, 22:18 -