Объявление

Свернуть
Пока нет объявлений.

Силовая электроника

Свернуть

Статьи по силовой электронике для инженеров и студентов технических специальностей

  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения

  • Защитные диоды TRANSIL, TRISIL, TVS

    Защитные диоды TRANSIL, TRISIL, TVS

    Среда, в которой мы обитаем, загрязнена не только различными химикатами, но также и помехами, вызванными всевозможными электронными компонентами. Большую часть помех создают иак называемые переходные процессы, которые возникают при отключении емкостной или индуктивной нагрузки. Данные переходные процессы не только усложняют жизнь конструкторам электронного оборудования, но и одновременно сокращает срок его службы. Именно большие перенапряжения являются опасными для электронных компонентов. Компоненты типа TRANSIL, TRISIL и TVS разработанны специально для подавления таких перенапряжений.

    В шестидесятые годы, на ирландском заводе GSI, было организованно первое производство диодов, специально...
    Показать больше | К сообщению

  • TVS-диоды — полупроводниковые приборы для ограничения опасных перенапряжений в э

    Андрей Кадуков
    В реальных условиях эксплуатации электронного оборудования в его цепях могут возникать различные виды электрических перегрузок, наиболее опасными из которых являются перегрузки по напряжению (перенапряжения), создаваемые электромагнитными импульсами естественного происхождения (за счет мощных грозовых разрядов), электромагнитными импульсами искусственного происхождения (за счет излучений радиопередающих устройств, высоковольтных линий передачи, сетей электрифицированных железных дорог и т. п.), а также за счет внутренних переходных процессов в оборудовании при ее функционировании (например, при переключениях индуктивных нагрузок) и электростатических разрядов (ЭСР).

    Воздействие электромагнитного импульса (ЭМИ) естественного и искусственного происхождения на электронные компоненты приводит к изменению их параметров за счет как непосредственного поглощения ими энергии, так и воздействия на них наведенных в цепях импульсов токов и напряжений. По данным фирмы General Semiconductor, потери промышленности США от воздействий перенапряжений составляют более $10 млрд в год. Учитывая сроки эксплуатации электронного оборудования в России, его износ и отсутствие жестких требований по защите от перенапряжений можно предположить, что эти потери в нашей стране сопоставимы с американскими.

    Наиболее чувствительными к воздействию импульсных напряжений и токов, наведенных ЭМИ естественного и искусственного происхождения на проводах и кабелях, являются подключенные к ним выходные устройства, в первую очередь выполненные на ИМС и дискретных полупроводниковых приборах.

    Минимальная энергия, вызывающая функциональные повреждения полупроводниковых приборов и ИМС, составляет 10-2–10-7 Дж.

    Для защиты цепей оборудования от воздействия электрических перегрузок могут использоваться разнообразные методы, основными из которых являются: конструкционные, структурно-функциональные, схемотехнические.

    Таблица 1. Сравнение элементов защиты от перенапряжений

    ...
    Показать больше | К сообщению

  • IGBT транзисторы в системе электронного зажигания

    IGBT транзисторы в системе электронного зажигания

    Введение

    Невозможно представить себе современный автомобиль без электроники. Электронных устройств становится все больше, они внедряются во все системы автомобиля, и одним из важнейших таких устройств является система электронного зажигания.На новых машинах она, как правило, входит в штатное оборудование. При установке же на старые...
    Показать больше | К сообщению
В этом канале нет статей.
  • Фильтр
  • Время
  • Показать
Очистить всё
новые сообщения
Пожалуйста, войдите, используя своё имя участника, чтобы увидеть список сообщений из подписки.

Метки статей

Свернуть

Меток пока нет.

Новые статьи

Свернуть

  • ШИМ-контроллеры малой мощности TinySwitch от Power Integrations
    admin
    Что такое TinySwitch? Почему в последнее время об этих микрочипах идет столько разговоров? Послушаем мнение на этот счет знающих людей. Говард Эрхард, президент и исполнительный директор Power Integrations: «Мы предлагаем решение проблемы энергетических утечек, проблемы, которая до сих пор не осознана большинством потребителей, хотя обходится им в миллиарды долларов». Хенно Шоттен, директор по исследованиям и развитию германской компании АKО-WERKE GmbH: «Экономия энергии, простота конструкции и низкая стоимость делают TinySwitch незаменимыми для устройств управления бытовой техникой».
    Итак, TinySwitch — Крошка Ключ. Просьба не путать с реактивным снарядом Tiny Tim. Почему — Крошка (Tiny)? Потому что на одном кристалле в корпусе DIP размером всего 9,4х6,22х3,18 мм размещены мощный 700 В полевой МОП — транзистор MOSFET и весьма сложная схема управления...
    03.06.2017, 22:19
  • Топология частотных преобразователей средней и большой мощности
    admin
    Продолжаем тему, начатую в статье «Методы теплового расчета импульсных силовых каскадов», опубликованной в № 1’2002...
    03.06.2017, 22:19
  • Схемотехнические способы борьбы с защелкиванием в каскадах с IGBT транзисторами
    admin
    Введение

    Преимущества IGBT транзисторов при использовании их в импульсных силовых каскадах (особенно высоковольтных) общеизвестны: это высокая плотность тока, малые статические и динамические потери, отсутствие тока управления, устойчивость к короткому замыканию, простота параллельного соединения.

    Отсутствие тока управления в статических режимах и общее низкое потребление по цепям питания позволяет отказаться от гальванически изолированных схем управления на дискретных элементах и создать интегральные схемы - драйверы. Драйверы, управляющие транзисторами нижнего плеча, в настоящее время выпускаются практически всеми ведущими фирмами. Кроме обеспечения тока затвора они способны выполнять и ряд вспомогательных функций таких, как защита от перегрузки по току, падения напряжения управления и ряд других.

    В дополнение к ним, некоторые фирмы выпускают драйверы транзисторов верхнего плеча, выдерживающие перепад напряжений до 600 В и даже 1200В, а также драйверы полумостовых и мостовых соединений мощных транзисторов. На вход этих драйверов подаются сигналы КМОП или ТТЛ уровня относительно отрицательной шины питания. Особая ценность таких микросхем состоит в том, что их выходные каскады способны питаться от так называемых "бутстрепных" конденсаторов в схемах "зарядового насоса" и не требуют "плавающих" источников питания.

    Большую гамму драйверов различного назначения поставляет фирма International Rectifier, в том числе:
    • драйвер транзистора верхнего плеча IR2125
    • драйвер полумоста IR211Х
    • драйвер трехфазного моста IR213Х
    • драйвер трехфазного моста на напряжение 1200В! IR223Х
    Среди наиболее известных можно также назвать драйверы нижнего плеча МС33153, МС34151 фирмы Motorola и драйверы с гальванической развязкой Hewlett Packard.

    Все сказанное выше делает транзисторы IGBT в сочетании с микросхема-ми управления оптимальными элементами для построения силовых ключевых каскадов с мощностью до десятков киловатт. Однако указанные элементы имеют и ряд технологических недостатков, ограничивающих область их применения. Среди наиболее серьезных - наличие времени рассасывания базы биполярной части IGBT (хвоста) и способность транзисторов и драйверов к защелкиванию.

    Причины защелкивания

    Причиной защелкивания IGBT транзисторов является наличие триггерной структуры, образованной биполярной частью...
    03.06.2017, 22:18
  • Современные силовые запираемые тиристоры
    admin
    Введение

    Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники началось в 1953 г. когда стало возможным получение кремния высокой чистоты и формирование кремниевых дисков больших размеров. В 1955 г. был впервые создан полупроводниковый управляемый прибор, имеющий четырёхслойную структуру и получивший название "тиристор".

    Он включался подачей импульса на электрод управления при положительном напряжении между анодом и катодом. Выключение тиристора обеспечивается снижением протекающего через него прямого тока до нуля, для чего разработано множество схем индуктивно-ёмкостных контуров коммутации. Они не только увеличивают стоимость преобразоваеля, но и ухудшают его массо-габаритные показатели,снижают надёжность.

    Поэтому одновременно с созданием тиристора начались исследования, направленные на обеспечение его выключения по управляющему электроду. Главная проблема состояла в обеспечении быстрого рассасывания носителей зарядов в базовых областях.

    Первые подобные тиристоры появились в 1960 г. в США. Они получили название Gate Turn Off (GTO). В нашей стране они больше известны как запираемые или выключаемые тиристоры.

    В середине 90-х годов был разработан запираемый тиристор с кольцевым выводом управляющего электрода. Он получил название Gate Commutated Thyristor (GCT) и стал дальнейшем развитием GTO-технологии.

    Тиристоры GTO

    Устройство

    Запираемый...
    03.06.2017, 22:18
  • Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
    admin
    Устройство и особенности работы

    Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком. На рис.1 приведено условное обозначение IGBT.


    > >
    Рис. 1. Условное обозначение IGBT
    Рис. 2. Схема соединения транзисторов в единой структуре IGBT
    Коммерческое использование IGBT началось с 80-х годов и уже претерпела четыре стадии своего развития.

    I поколение IGBT (1985 г.): предельные коммутируемые напряжения 1000 В и токи 200 А в модульном и 25 А в дискретном исполнении, прямые падения напряжения в открытом состоянии 3,0-3,5 В, частоты коммутации до 5 кГц (время включения/выключения около 1 мкс).

    II поколение (1991 г.): коммутируемые...
    03.06.2017, 22:18
  • Полупроводниковый ключ переменного тока
    admin
    ...
    03.06.2017, 22:18
Обработка...
X