STT6602 datasheet

STT6602 - N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET

Название/Part No:

STT6602

Описание/Description:

N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET

Производитель/Maker:

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH (SECOS)

Ссылка на datasheet:

STT6602 и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
STT6601	N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET	SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
STT6602	N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET	SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
STT6603	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	SamHop Microelectronics Corp.